全球氮化鎵龍頭英諾賽科有望加速成長

近年來，氮化鎵作為“第三代半導(dǎo)體”代表性材料需求崛起，行業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L，發(fā)展?jié)摿薮蟆Ｅc此同時，全球氮化鎵市場的競爭也日益激烈，海外巨頭通過并購手段，快速入局；國內(nèi)企業(yè)也積極完善產(chǎn)業(yè)鏈，參與到市場競爭中來。

成立于2017年的英諾賽科憑借其準(zhǔn)確的市場定位、正確的商業(yè)模式選擇、持續(xù)的創(chuàng)新以及堅定的信念等，經(jīng)過7年的奮斗，終于發(fā)展成了全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的龍頭。

2024年，英諾賽科完成了E輪融資，投后估值達(dá)235億元，成功躋身超級獨角獸行列。目前，公司正計劃赴港上市，有望進(jìn)一步加速全球擴(kuò)張和技術(shù)發(fā)展，繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)突破。

氮化鎵需求崛起潛力巨大 各方蓄勢待發(fā)競爭激烈

近年來，憑借高頻、耐高壓、耐高溫和抗輻射等方面的優(yōu)越性能，“第三代半導(dǎo)體”受到市場的廣泛關(guān)注，并在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G通信等新興技術(shù)領(lǐng)域中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場需求。

其中，氮化鎵作為“第三代半導(dǎo)體”的代表性材料，具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強(qiáng)、導(dǎo)通電阻低、無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低電源的能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，并實現(xiàn)更小的設(shè)備尺寸，已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)變革的核心。

隨著氮化鎵技術(shù)的成熟以及下游應(yīng)用的逐步釋放，氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來蓬勃的市場機(jī)遇。據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)，氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模由2019年的1.394億元人民幣快速增長至2023年的18億元人民幣，復(fù)合年增長率為88.5%，占全球功率半導(dǎo)體市場的比例將提升至10.1%。同時，沙利文預(yù)測，后續(xù)將以98.5%的復(fù)合年增長率加速增長，由2024年的32.28億元人民幣增長至2028年的501.42億元人民幣。

這一產(chǎn)業(yè)趨勢為全球氮化鎵廠商帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，面對其廣闊的市場空間和巨大的增長潛力，業(yè)內(nèi)廠商紛紛摩拳擦掌，或提升研發(fā)實力，或加碼量產(chǎn)能力，激烈的行業(yè)競爭難以避免。

在此背景下，海外的老牌巨頭也不免想把握這波增長機(jī)遇，則采用了更為快速的并購手段。2023年10月，英飛凌科技率先宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。英飛凌表示，公司和GaN Systems在知識產(chǎn)權(quán)、對應(yīng)用的深刻理解以及成熟的客戶項目規(guī)劃方面優(yōu)勢互補(bǔ)。

2024年7月，瑞薩電子宣布完成對氮化鎵（GaN）全球領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計，以滿足對寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長的需求。

在完成對Transphorm的收購的同一天，瑞薩電子推出了15種新的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品是面向市場的參考設(shè)計，將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩電子的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品組合相結(jié)合。其中包括Transphorm為車載電池充電器集成的汽車級氮化鎵技術(shù)的設(shè)計，以及用于電動汽車的三合一動力總成解決方案。

2024年7月，晶圓代工大廠Global Foundries宣布收購TagoreTechnology的功率GaN技術(shù)及知識產(chǎn)權(quán)組合。資料顯示，Tagore Technology成立于2011年1月，專注開發(fā)用于射頻(RF)和電源管理應(yīng)用的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)半導(dǎo)體技術(shù)。根據(jù)收購協(xié)議，一支來自Tagore致力于開發(fā)GaN技術(shù)且經(jīng)驗豐富的工程師團(tuán)隊將加入Global Foundries。Global Foundries首席商務(wù)官Niels Anderskouv表示：“通過此次收購，Global Foundries向加速GaN的普及邁出了又一步，并能幫助我們的客戶構(gòu)建下一代電源管理解決方案，這些方案將重塑移動性、連接性和智能化的未來?！?/p>

國內(nèi)氮化鎵企業(yè)也在積極采取行動，不斷完善自身氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈，力圖完成從襯底到外延到功率器件、射頻器件、光電器件的全覆蓋，以滿足市場需求，把握商機(jī)。

面對海外巨頭的圍追堵截和國內(nèi)同業(yè)的不斷追趕，英諾賽科跨越重重阻礙，最終成長為了全球龍頭，引領(lǐng)著全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的變革和中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起。

堅定信念創(chuàng)新引領(lǐng) 開啟崛起之路

成為全球龍頭的這一路，英諾賽科走得并不容易。英諾賽科的成功與公司一開始準(zhǔn)確的市場定位、正確的商業(yè)模式選擇、堅定的信念以及敢為人先的魄力等緊密相關(guān)。

2014年，世界上最早的氮化鎵充電芯片出現(xiàn)，讓公司創(chuàng)始人駱薇薇看到了這個市場的潛力。2015年，適逢半導(dǎo)體領(lǐng)域回國創(chuàng)業(yè)風(fēng)潮，駱薇薇一下子瞄準(zhǔn)了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇，便毅然決然回國組建團(tuán)隊。2017年，英諾賽科正式成立。

當(dāng)時的氮化鎵尚無大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用，很多企業(yè)大多選用6英寸或者4英寸工藝，而駱薇薇卻敢為人先，帶領(lǐng)著英諾賽科選擇8英寸工藝。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓，8英寸的晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一器件成本降低30%。

同時，駱薇薇清楚地認(rèn)識到，如果氮化鎵功率電子器件在市場上要進(jìn)行大規(guī)模推廣，必須要解決三個痛點。首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應(yīng)對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng)，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。

因此，英諾賽科建設(shè)自主可控的生產(chǎn)線，穩(wěn)定GaN器件的產(chǎn)能，并全力以赴推廣氮化鎵功率電子器件。同時，英諾賽科加大力度提升氮化鎵功率半導(dǎo)體在多個下游產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用滲透率，并鞏固在消費電子市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，并持續(xù)研發(fā)更多元化的產(chǎn)品技術(shù)，以滿足客戶多樣化的需求。

值得一提的是，眾所周知，IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中耗資最多、難度最大的一種商業(yè)模式。然而，英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，目標(biāo)實現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程的自主控制。IDM模式的優(yōu)勢可以實現(xiàn)成本的有效管控，讓英諾賽科能夠以更具競爭力的價格策略立足市場，形成難以復(fù)制的競爭優(yōu)勢。

而上文提到的多項并購重組案例也傳遞出一個信號，GaN行業(yè)的IDM模式將會成為未來趨勢。譬如，并購方英飛凌、瑞薩電子都是IDM企業(yè)，而代工模式的Power Integrations通過收購IDM Odyssey Semiconductor擁有了氮化鎵晶圓廠。

除此之外，當(dāng)中國企業(yè)跑到全球市場廝殺，也難免會受到巨頭的圍堵。捆綁銷售、專利糾紛都是他們的常用競爭手段。例如，此前英飛凌多次指控英諾賽科侵權(quán)，試圖通過訴訟擾亂市場，阻礙英諾賽科及氮化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。對此英諾賽科也發(fā)表聲明稱，有信心通過法律手段取得最終勝利。

七年磨一劍成為世界第一 擬IPO踏上新征程

一路篳路藍(lán)縷，憑借強(qiáng)大的技術(shù)實力和領(lǐng)先的量產(chǎn)能力，2023年英諾賽科終于站在了全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)之巔。

根據(jù)招股書信息，截至2023年12月31日，英諾賽科氮化鎵分立器件累計出貨量超過5億顆，成為全球氮化鎵出貨量最大企業(yè)，市占率達(dá)42.4%。若按收入計，2023年公司在全球氮化鎵功率器件半導(dǎo)體市場的份額為33.7%，也位居第一。

目前，公司已經(jīng)成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。同時，英諾賽科還擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，截至2023年12月31日，設(shè)計產(chǎn)能達(dá)到每月10000片晶圓。

隨著市場份額的持續(xù)擴(kuò)大，公司收入也實現(xiàn)飆升。招股書顯示，2021年、2022年及2023年，英諾賽科實現(xiàn)收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，呈現(xiàn)持續(xù)倍增態(tài)勢。

打破技術(shù)封鎖，英諾賽科帶著全球第一的光環(huán)，走向了資本市場。

6月12日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司，正式申請赴港上市，開啟發(fā)展新篇章。本次赴港上市，公司有望獲得更強(qiáng)大的資金支持，加速其全球擴(kuò)張計劃、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)充，進(jìn)一步鞏固行業(yè)領(lǐng)先地位，并引領(lǐng)國產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)業(yè)持續(xù)突破。（CIS）